日本SEN 紫外UV清洗機(jī) PM20036C：
 

采用200瓦U型清洗燈36燈設(shè)計(jì)

使用燈管：EUV200US-88

照射面積：1000x1000MM

照射距離：17.5~50MM

可處理面積：1000x1000MM, 1000x3000mm

電 壓：3項(xiàng)，200V

電 流：3A

功 率：3870W

冷卻方法：水冷

傳送帶速度：可調(diào)
UV清洗機(jī)規(guī)格資料表:

紫外光UV清洗原理

紫外線清洗是是利用有機(jī)化合物的光敏氧化作用達(dá)到去除附著在材料表面的有機(jī)物質(zhì)。經(jīng)過(guò)光清洗后的材料表面可以達(dá)到原子級(jí)清潔度。

其主要原理為紫外線燈發(fā)出的185nm波長(zhǎng)和254nm波長(zhǎng)具有很高的能量，高于大多數(shù)有機(jī)物的結(jié)合能量。由于大多數(shù)碳?xì)浠衔飳?duì)185nm波長(zhǎng)的紫外線具有較強(qiáng)的吸收能力，并且可以在吸收185nm波長(zhǎng)后分解成離子，流離態(tài)原子，受激分子和中子等，這就是光敏作用。空氣中的氧分子在吸收了185nm波長(zhǎng)的紫外光后，會(huì)產(chǎn)生臭氧和氧氣，臭氧對(duì)254nm波長(zhǎng)具有很強(qiáng)的吸收性，臭氧有可以分解為氧原子和氧氣。氧原子具有極強(qiáng)的氧化性，可以將碳?xì)浠湘I切斷，生成水和二氧化碳等易揮發(fā)氣體，從被照射物表面飄逸出，清除物體表面的污染物。

應(yīng) 用

紫外線UV光清洗技術(shù)的應(yīng)用范圍:

1.各種材料(ITO玻璃,光學(xué)玻璃,鉻板,掩膜版,拋光石英晶體,硅)晶片和帶有氧化膜的金屬等進(jìn)行精密清洗處理;

2.清除石臘,松香,油脂,人體體油以及殘余的光刻膠/聚酰亞胺和環(huán)氧樹(shù)脂

3.高精度PCB焊接前的清洗和去除殘余的焊劑以及敷銅箔層壓板的表面清潔和氧化層生成；

4.高真空密封技術(shù)和熱壓焊接前的表面清潔處理以及各種微型元件的清洗

5。在LCD、OLED, Touch Panel科研/生產(chǎn)中，在涂光刻膠、PI膠、定向膜、鉻膜、色膜前經(jīng)過(guò)光清洗，可以極大的提高基體表面潤(rùn)濕性，增強(qiáng)基體表面的粘合力；

6。印制電路板生產(chǎn)中，對(duì)銅底板，印刷底板進(jìn)行光清洗和改質(zhì)，在導(dǎo)線焊接前進(jìn)行光清洗，可以提高熔焊的接觸面積，大大增加連接強(qiáng)度。特別是高精度印制電路板，當(dāng)線距達(dá)到亞微米級(jí)時(shí)，光清洗可輕易地去除在線距之間很小的微粒，可以大大提高印制電路板的質(zhì)量。

7。大規(guī)模集成電路的密度越來(lái)越高，晶格的微細(xì)化越來(lái)越密，要求表面的潔凈度越來(lái)越高，光清洗可以有效地實(shí)現(xiàn)表面的原子清潔度，而且對(duì)芯片表面不會(huì)造成損傷。  

8。在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，硅晶片涂保護(hù)膜、鋁蒸發(fā)膜前進(jìn)行光清洗，可以提高粘合力，防止針孔、裂縫的發(fā)生

9。在光盤的生產(chǎn)中，沉積各種膜前作光清洗準(zhǔn)備，可以提高光盤的質(zhì)量。

10。磁頭固定面的粘合，磁頭涂敷，以及提高金屬絲的連接強(qiáng)度，光清洗后效果好。

11。石英晶體振蕩器生產(chǎn)中，除去晶體檢測(cè)后涂層上的墨跡，晶體在銀蒸發(fā)沉積前，進(jìn)行光清洗可以提高鍍膜質(zhì)量和產(chǎn)品性能。

12。在IC卡表面插裝ROM前，經(jīng)過(guò)光清洗可提高產(chǎn)品質(zhì)量。

13。彩色濾光片生產(chǎn)中，光清洗后能洗凈表面的有機(jī)污染物。

14。敷銅箔層壓板生產(chǎn)中，經(jīng)過(guò)光照改質(zhì)，不僅表面潔凈而且表面形成十分均勻的保護(hù)氧化層，產(chǎn)品質(zhì)量顯著提高

15。光學(xué)玻璃經(jīng)過(guò)紫外光清洗后，鍍膜質(zhì)量更好。

16。樹(shù)脂透鏡光照后，能加強(qiáng)與防反射板的粘貼性。