化學氣相沉積裝置CVD與氣體質(zhì)量流量混合和控制的關系

CVD裝置需要用到穩(wěn)定的控制氣體的流量進氣量，因此氣體質(zhì)量流量控制器的選擇就很關鍵，需要與整套裝置包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中控制。

在當代，微型電子學元器件中越來越多的使用*非晶態(tài)材料，因此化學氣相沉積法在半導體工業(yè)中有著比較廣泛的應用?；瘜W氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。化學氣相沉積是含有薄膜所需要的原子和分子的化學物質(zhì)在反應室內(nèi)混合并在氣態(tài)下發(fā)生反應，其原子或分子沉積在晶片表面聚集形成薄膜的過程。

化學氣相沉積裝置主要包含四部分，即反應室、加熱系統(tǒng)、供反應氣體系統(tǒng)、反應后氣體處理系統(tǒng)。在化學氣相沉積過程中，為了在晶片表面形成厚度均勻、質(zhì)量較佳的薄膜，必須使得反應氣體均勻的到達晶片表面，CVD裝置供反應氣體由原料氣體、氧化劑氣體、還原劑氣體以及將反應氣體輸送至反應室中的載帶氣體組成。原料氣體可由氣相、液相及固相三種形態(tài)提供。氣體可直接送入反應室中。氣體流量控制可使用質(zhì)量流量計或針閥來實現(xiàn)。